2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[21a-C202-1~12] 17.3 層状物質

2022年9月21日(水) 09:00 〜 12:00 C202 (C202)

渡辺 健太郎(信州大)

09:15 〜 09:30

[21a-C202-2] その場観測CVDによる単層WS2成長形態時間変化と構造欠陥導入機構の相関解明

〇(M2)岩本 祐汰1、金子 俊郎1、加藤 俊顕1 (1.東北大工)

キーワード:二次元シート材料、その場観測、合成機構

本研究では独自に開発したその場観測CVDを用いて、2次元半導体材料である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の詳細な成長機構の解明に取り組んだ。その結果、単層単結晶TMD内のPL発光分布が合成条件により面内一様発光とエッジ発光の二つの形態をとること、及びそれらが成長形態の時間発展に強く相関することが明らかになった。