[21a-C202-1~12] 17.3 層状物質

△ [21a-C202-7] 閉じ込め空間による大面積・高品質単層二硫化タングステンの表面拡散律速成長と光電子デバイス応用

〇橋本 龍季¹、三澤 賢明¹、鶴田 健二¹、宮田 耕充²、林 靖彦¹、鈴木 弘朗¹ (1.岡大院自然、2.都立大理)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、表面拡散律速成長、電界効果トランジスタ

金属塩を用いたVapor-Liquid-Solid成長と二枚の合成基板で構築したマイクロリアクタを組み合わせた，新しい化学気相成長法により単層二硫化タングステン（WS₂）の大面積合成に成功した．結晶サイズの合成温度に対するアレニウス型の活性化エネルギー，原料の表面拡散エネルギーの理論計算等から合成機構を解明した. 合成したWS₂から作製した電界効果トランジスタは高いオンオフ比，電界効果移動度を持ち、高いデバイス性能を示した.