[21a-C202-1~12] 17.3 層状物質

△ [21a-C202-9] プラズマ処理によるヤーヌスMoSeSの生成ダイナミクスと電子状態遷移過程の解明

〇劉 怡君¹、石村 拳太郎¹、中野 亮¹、三澤 賢明¹、鶴田 健二¹、林 靖彦¹、鈴木 弘朗¹ (1.岡大院自然)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、ヤーヌス構造、水素プラズマ

硫黄を含む水素プラズマ処理によって，単層MoSe₂表面のSe原子をS原子に置換し，ヤーヌスMoSeSの生成に成功した．より高品質なヤーヌス MoSeSを得るために，プラズマ－サンプル間距離，プラズマ生成パワー，などの処理条件を最適化した．短時間のプラズマ照射とラマン・フォトルミネッセンス（PL）測定を繰り返し，高い処理時間分解で測定を行った．その結果，未知のラマンピークや，PLの不連続遷移を明らかにした．