[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-C206-13] SiとGeのナノシートを用いた相補型電界効果トランジスタの温度依存性

〇服部 淳一¹、福田 浩一¹、池上 努¹、張 文馨¹ (1.産総研)

キーワード：相補型電界効果トランジスタ、ゲルマニウム、TCAD