[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [21a-C206-9] SiC 結晶表面におけるステップ・テラス構造による電子散乱の理論解析

〇内海 慶祐¹、田中 一¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：SiC、非平衡グリーン関数法、ステップ・テラス