The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Poster presentation

10 Spintronics and Magnetics » 10 Spintronics and Magnetics(Poster)

[21a-P02-1~50] 10 Spintronics and Magnetics(Poster)

Wed. Sep 21, 2022 9:30 AM - 11:30 AM P02 (Arena)

9:30 AM - 11:30 AM

[21a-P02-15] Insertion of antiferromagnetic oxide layer beneath the Fe3O4 layer in magnetic tunnel junctions

shotaro kusada1, toshihiro shimada1, taro nagahama1, seiya yokokura1 (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:TMR effect

Fe3O4を用いたMTJは、室温ではMRが小さく、その原因には保磁力が小さいことが挙げられる。
保磁力を増大させる方法として、強磁性体と反強磁性体層を積層し層間交換結合によって磁化を固定する手法があり、CoOを用いることでより強い交換バイアス効果を示すことが報告されている。そこで、本研究ではFe3O4-MTJのFe3O4をCoO上に積層し、Fe3O4の磁化過程の改善とTMR効果の増大を試みた。