[21a-P02-1~50] 10 Spintronics and Magnetics(Poster)

[21a-P02-15] Insertion of antiferromagnetic oxide layer beneath the Fe₃O₄ layer in magnetic tunnel junctions

〇shotaro kusada¹, toshihiro shimada¹, taro nagahama¹, seiya yokokura¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:TMR effect

Fe3O4を用いたMTJは、室温ではMRが小さく、その原因には保磁力が小さいことが挙げられる。
保磁力を増大させる方法として、強磁性体と反強磁性体層を積層し層間交換結合によって磁化を固定する手法があり、CoOを用いることでより強い交換バイアス効果を示すことが報告されている。そこで、本研究ではFe3O4-MTJのFe3O4をCoO上に積層し、Fe3O4の磁化過程の改善とTMR効果の増大を試みた。