[21a-P02-1~50] 10 スピントロニクス・マグネティクス(ポスター)

[21a-P02-15] Fe₃O₄を用いたトンネル磁気抵抗接合への反強磁性ピン留め層の導入

〇草田 正汰朗¹、島田 敏宏¹、長浜 太郎¹、横倉 聖也¹ (1.北海道大学)

キーワード：TMR効果

Fe3O4を用いたMTJは、室温ではMRが小さく、その原因には保磁力が小さいことが挙げられる。
保磁力を増大させる方法として、強磁性体と反強磁性体層を積層し層間交換結合によって磁化を固定する手法があり、CoOを用いることでより強い交換バイアス効果を示すことが報告されている。そこで、本研究ではFe3O4-MTJのFe3O4をCoO上に積層し、Fe3O4の磁化過程の改善とTMR効果の増大を試みた。