[21a-P02-1~50] 10 Spintronics and Magnetics(Poster)

[21a-P02-5] Large Rashba parameter for conductive oxide SrNbO₃ ultrathin films

〇Hikaru Okuma¹, Yumiko Katayama¹, Kazunori Ueno¹ (1.Univ. Tokyo)

Keywords:Rashba effect, SrNbO3, weak anti localization

空間反転対称性の破れによって発生するラシュバ効果は、半導体をチャネル層としたスピンFETをはじめ、スピントロ二クスデバイスへの応用が期待されてきた。最近では、半導体だけでなく、酸化物を用いたスピントロニクス材料への関心も高まっており、物質合成の観点から巨大なラシュバパラメータを有する材料の開拓は重要である。今回我々は、これまでにラシュバ効果の報告例が少ない伝導性酸化物の中で、SrNbO₃が強いラシュバパラメータを示すことを見出したので報告する。