[21p-A101-1~16] 3.10 フォトニック構造・現象（旧3.11）

[21p-A101-8] GaN系トポロジカルフォトニック結晶の導波路構造解析

〇阿部 洸希¹、サトウ ロドリゴ¹、米田 幸司¹、菊池 昭彦^1,2,3 (1.上智大学、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大学半導体研究所)

キーワード：トポロジカルフォトニクス

ハニカム型トポロジカルフォトニック結晶(PhC)におけるエッジ状態は、構造の欠陥や導波路の急峻な曲げに対するロバスト性、電磁波の一方向性伝搬などの特徴を持ち、トポロジカルPhCの光学的アプリケーションへの応用が期待されている。本研究では実用化を目指し、シンプルな構造でのGaN系高機能性トポロジカルPhCのデバイス応用に向けて３つの層構造を提案した。今回はその光学特性シミュレーションの結果を示す。