[21p-A105-1~9] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[21p-A105-3] Structural fluctuations and luminescence properties in (110) strained InGaAs quantum wells

〇Satoshi Iba¹, Yuzo Ohno^1,2 (1.AIST, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:GaAs(110), Cathode luminescence, MBE

GaAs(110)面方位の量子井戸は長い電子スピン緩和時間を有することからスピン-円偏光間の光学遷移選択則を利用した円偏光発光素子への応用に注目が集まっている。GaAs(110)面は非極性面であることに起因してAs原子の吸着係数が低い。それ故、表面平坦性が悪化しやすく、(110)InGaAs/AlGaAs量子井戸では起源が不明な長波長発光(> 950 nm)が観測されていた。今回、表面SEM-CL測定および断面TEM-EDX測定により当該発光の起源を明らかにしたので報告する。