[21p-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21p-A105-7] InP(311)B基板上における超低密度InAs量子ドット形成

〇赤羽 浩一¹、金木 潔良²、松本 敦¹、梅沢 俊匡¹、山本 直克¹、前田 智弘²、外林 秀之²、富永 依里子³、菅野 敦史¹ (1.情通機構、2.青学大、3.広島大)

キーワード：量子ドット、相互拡散エピタキシー、サーファクタント

本研究では自己形成量子ドット成長の際、相互拡散エピタキシー（IDE）とBiのサーファクタント効果を用いることにより、InP(311)B基板上におけるInAs量子ドットの超低密度化を実現したのでこれを報告する。