[21p-A301-1~13] 1.3 新技術・複合新領域

[21p-A301-8] 半導体レーザの薄膜化プロセスの開発

〇(M1)辻 祐樹¹、禹 泰圭¹、林 翔平¹、前田 讓治¹、板谷 太郎²、天野 健² (1.東理大　理工、2.産総研)

キーワード：半導体レーザ、コパッケージ、放熱

大規模データセンタ等において、通信の大容量・省電力化が課題となっている。この問題を解決するために、我々は、光源内蔵型コパッケージ（CPO）技術の研究を行っている。厚さ110µmの光通信用DFBレーザを、機械式研磨と化学的機械研磨によって厚さ60µm以下に研磨し、AuGe電極を蒸着して薄膜半導体光源とした。半導体レーザを薄膜化することで、放熱特性が大幅に向上し、システム全体の省電力化が期待される。