[21p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-B201-1] [講演奨励賞受賞記念講演] HfO₂/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生

〇本田 啓人¹、正直 花奈子^1,2、上杉 謙次郎^3,4、三宅 秀人²、芹田 和則⁵、村上 博成⁵、斗内 政吉⁵、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ、4.三重大共創機構、5.阪大レーザー研)

キーワード：紫外、窒化物半導体、光デバイス

波長230 nm近傍の遠紫外光は人体に対し無害な消毒・殺菌用途として需要が高まっている。我々は、非線形光学材料であるAlNやGaNの極性反転積層構造からなる横型擬似位相整合（QPM）波長変換デバイスを提案してきた。このデバイスは高い波長変換効率が期待できるが、極性反転構造の作製が難しい。そこで、AlN上に線形光学材料のHfO₂をスパッタリング成膜により積層させたHfO₂/AlN横型QPM波長変換デバイスを提案し、比較的高い波長変換効率が期待できる理論予測のもと、遠紫外光第二高調波発生（SHG）デバイスを作製し、遠紫外光の発生を確認した。