[21p-B201-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21p-B201-15] Study on Stable Source Supply for Cu₃N Growth by Mist CVD

〇(M1)Shogo Yoshida¹, Kai Yamada¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Hiroki Nagai¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:Copper nitride, Mist chemical vapor deposition

Mist CVD法によるCu₃N成長において溶媒に用いているアンモニア水が成長中に原料溶液中から脱離することで窒化源が不足し膜厚が得られないと考えられる。そのため、本研究では成長を中断しアンモニア水を追加供給して再度結晶成長を行った。その結果、追加供給を行うことで単相Cu₃N薄膜の膜厚増加が確認できた。