[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-16] ミストCVD法を用いたc面サファイア基板上のrh-IMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価

〇石野 貴之¹、島添 和樹¹、鐘ケ江 一孝¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：半導体、ミストCVD法、エピタキシャル成長

申請者はミストCVD法を用いた透明導電酸酸化物半導体の形成に取り組んでおり、本研究では準安定相のIMOエピタキシャル薄膜の形成に成功した。