[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-4] 室温でのエキシマレーザーアニールにより作製した酸化物緩衝層付きポリマー基板上のβ-Ga₂O₃配向膜の構造及び光学特性の評価

〇(M2)甲斐 稜也¹、沼田 拓実¹、大賀 友瑛¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

キーワード：酸化ガリウム、エキシマレーザーアニール、フレキシブルデバイス

ワイドギャップ半導体であるβ-Ga₂O₃薄膜をポリマー基板上に作製することで、フレキシブルデバイスとしての応用が考えられる。エキシマレーザーアニール(ELA)によるβ-Ga₂O₃薄膜の室温結晶化プロセスは、従来の高温成膜や電気炉による従来の熱処理と比べて、ポリマー基板の損傷を抑えた結晶化が期待できる。本研究ではELAで作製した、ポリマー基板上β-Ga₂O₃高配向膜の構造・光学特性について検討した。