[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-5] ミストCVD法によるβ-Fe₂O₃バッファ層を用いたδ-Ga₂O₃のエピタキシャル成長

〇加藤 貴大¹、西中 浩之¹、島添 和樹¹、吉本 昌広¹、鐘ケ江 一孝¹ (1.京工大)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD

同じビックスバイト構造でかつδ-Ga₂O₃と小さな格子不整合を持つβ-Fe₂O₃をバッファ層として利用することで、ミストCVD法により今まで存在が怪しまれていたδ-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長に成功し、その存在を実証した。