[21p-B204-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-B204-2] ミストCVD法を用いたm面サファイア基板上VO₂薄膜の作製と構造転移

〇(M1)潮田 和季¹、松浦 直毅¹、久保 理¹、田畑 博史¹、片山 光浩¹ (1.阪大院工)

キーワード：二酸化バナジウム、ミストCVD法、ｍ面サファイア基板

VO₂は、68℃で金属-絶縁体転移（MIT転移）を伴う構造変化を示す。VO₂膜は最近ミストCVD作製法が報告された。先行研究よりミストCVD法でr面サファイア基板上にVO₂膜を作製した例とマグネトロンスパッタ法でサファイア基板上に成膜したVO₂膜では、m面上が最も優れたMIT転移を示した報告もある。本発表ではm面上にミストCVD法で成長させたVO₂薄膜の面方位、構造転移について報告する。