The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[21p-C101-1~15] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Wed. Sep 21, 2022 1:30 PM - 5:30 PM C101 (C101)

Yasushi Nanai(National Defense Academy), Jian Xu(NIMS)

3:00 PM - 3:15 PM

[21p-C101-7] Emission properties of solution-based electroluminescence (EL) device using colloidal Si quantum dots

〇(M1)Ryota Sugaya1, Seiya Yamamoto1, Toshihiro Nakamura1, Takashi Kasahara1, Nobuyoshi Koshida1,2 (1.Hosei Univ., 2.Tokyo Univ. of A&T)

Keywords:semiconductor

Si量子ドットは量子サイズ効果により室温で可視発光を示し、今後の有望な発光材料の一つとして期待されている。代表的な応用例として有機半導体と複合した発光ダイオードがあるが、このデバイスは作製に精密な雰囲気制御を必要とし、一般にプロセスは複雑である。我々のグループは過去に簡易な薄型溶液系ELデバイスの試作をしており、今の作製プロセスの改善や発光特性のより詳細な評価を行った結果について報告する。