[21p-C105-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [21p-C105-3] 65-nm CMOSの4.2 K動作における過渡特性

〇(M1)宮尾 知寿¹、田中 貴久¹、今西 創生¹、市川 雅幸²、中川 修哉²、石黒 仁揮²、阪本 利司³、多田 宗弘³、内田 建¹ (1.東大工、2.慶大理工、3.ナノブリッジ・セミコンダクター)

キーワード：低温CMOS、過渡特性、パルス測定

量子コンピュータ実現のために低温CMOS技術は重要だが、トランジスタの過渡特性はまだほとんど報告されていない．本研究では、65-nm CMOSにおいてドレイン電流の過渡特性を評価した．4.2 Kでusオーダーの過渡特性が見られたが、自己加熱によるものではなく，4.2 Kにおけるアクセプタの正孔放出時定数が長いために生じたと考えられる．今回得られた知見は，低温でLSIを正確に設計する際に重要である．