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[21p-C202-1] 良質で非中心対称なβ'-SnS の成長及びその評価
キーワード：半導体、非中心対称、二次元材料
近年，光起電力効果の一つとして，シフト電流が注目されている．これはバンドの上下端におけるベリー接続の差に応じた電流が流れるものであり，結晶格子における空間反転対称性の破れを必要とする．2次元層状半導体であるSnSにおいては，Si太陽電池に匹敵する大きなシフト電流が予測されているが未だ実証されていない．我々はこれまでにマイカ基板上に反転対称性の破れたSnSを成長させ強誘電特性を示してきたが，結晶性は悪くラマン分光測定において理論的に予測される振動モードのほとんどが観測されていない．マイカ基板上SnSは，強く導入された歪により空間反転対称性の破れたβ'相が安定化されていると考えられる．本研究では，シフト電流の測定が可能なSnSを作成するべく，基板をHOPGに変更し基板との相互作用を減らした状態で成長を行い，結晶性および熱的な安定性について評価した．