[21p-C202-1~8] 17.3 層状物質

[21p-C202-7] MoTe₂/n⁺⁺-Siヘテロ構造を用いた縦型TFETの研究

〇中村 宥雅¹、柯 梦南¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、青木 伸之¹ (1.千葉大物質、2.物質・材料研究機構)

キーワード：二次元物質、トンネル電界効果トランジスタ