[21p-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[21p-C301-1] InAs/GaSb超格子のPL法とPR法を用いた遷移エネルギー評価

〇矢田部 龍彦¹、迫田 理久¹、荒井 昌和¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大)

キーワード：フォトレフレクタンス法、超格子

中赤外領域の受光素子の材料としてInAs/GaSbタイプⅡ超格子がある。本研究ではその試料に対してフォトレフレクタンス法とフォトルミネッセンス法を用いて遷移エネルギーを測定し、nextnanoを用いた理論計算値との比較を行った。PR測定結果からは二つのピークが得られ、それぞれのピークはは理論計算値との比較から電子の最低の量子準位と重い正孔の第1量子準位間（e1-hh2間）、もう一つはe1-hh2間による遷移と考えられた。