2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.12 半導体光デバイス(旧3.13)

[21p-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス(旧3.13)

2022年9月21日(水) 13:30 〜 16:15 C301 (C301)

荒井 昌和(宮崎大)、下村 和彦(上智大)

14:00 〜 14:15

[21p-C301-3] 長方格子金属ホールアレイ付SOIフォトダイオードの分光感度特性における入射偏光依存性

山本 竜爾1、佐藤 弘明1,2、髙根 亮1、猪川 洋1,2 (1.静岡大院総合科学技術、2.静岡大電子研)

キーワード:SOIフォトダイオード、SPアンテナ、分光感度特性

薄いsilicon-on-insulator(SOI)フォトダイオードに対して、適切に設計された金属周期構造をフォトダイオード上部に配すると、特定の入射条件に限定された光に対して高い光感度が得られる。本報告では、長方格子金属ホールアレイ付SOIフォトダイオードについて検討し、互いに垂直な2方向の周期に対して異方性を与えた場合の入射偏光依存性を調査した。入射偏光によって受光できる波長が変化することを示す。