[21p-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[21p-C301-9] 円形外周電極をつけたレーザ受光用InGaAsP光電変換素子の評価

〇荒井 昌和¹、櫛山 爽¹、本村 優芽¹、西岡 賢祐¹ (1.宮崎大工)

キーワード：光無線給電、MOVPE

大気の吸収が少ない1.06ミクロン帯レーザの受光を想定したInGaAsPを用いた光電変換素子を作製した。特に円形外周電極による1064 nmレーザ照射時の特性改善について報告する。