2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

2022年9月21日(水) 13:30 〜 17:35 M206 (マルチメディアホール)

渡部 平司(阪大)、久本 大(日立製作所)

13:30 〜 13:50

[21p-M206-1] 文科省「革新的パワーエレクトロニクス」の紹介と基礎科学への期待

大森 達夫1 (1.三菱電機 開発本部)

キーワード:パワーデバイス、パワーエレクトロニクス、ワイドバンド半導体

文科省「革新的パワーエレクトロニクス」(Innovative Power-Electronics Technologies (INNOPEL))は、2021年度から5年間の予定で実施されている文科省の研究開発事業で、学理究明も含めた基礎基盤研究により、次世代半導体の優れた材料特性を十分に実現できるパワーデバイスや、その特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路、受動素子等を創出する研究開発を進めています。本講演ではプロジェクトの目的や内容について紹介すると共に、基礎科学への期待を述べる。