[21p-P08-1~5] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[21p-P08-1] 自己触媒VLS法を用いた再成長InPコアシェルナノワイヤのフォトルミネッセンス特性

〇香取 祐太¹、陳 琛¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：ナノワイヤ、半導体

MOVPEによる自己触媒VLS法を用いたInPナノワイヤ成長に関する研究を行っている。これまでにInP(111)B基板上にInPコアを形成した後にGaInAs/InPマルチシェルを形成することでInP/GaInAsコアマルチシェルナノワイヤを成長し、物性評価、及びデバイス応用に向けた研究を行ってきた。本報告では触媒を除去した後のシェル層再成長によるコアシェル構造ナノワイヤのPL測定と数値解析ソフトを用いたシミュレーションとの比較について述べる。