[21p-P09-1~10] 9.4 Thermoelectric conversion

[21p-P09-5] Development of a High Durability SiGe Thermoelectric Module Without Electrode at the Hot Side

〇Hironori Ohshima¹, Shinichi Fujimoto², Kazuo Nagase¹, Masayuki Murata¹, Atsushi Yamamoto¹, Chul-Ho Lee¹ (1.AIST, 2.KELK Ltd.)

Keywords:thermoelectric generation, high durability, p-n junction

本研究では高温側の電極が不要なSiGe素子を開発し、２対モジュールを組み立てた。真空中700°Cおよび大気中500°Cにおけるモジュール耐久試験の結果、計450時間以上経過後も発電性能に劣化はなく、高温の条件でも高い耐久性を示すことが確認された。