[21p-P12-1~54] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[21p-P12-13] Transfer-free graphene synthesis on sapphire substrates utilizing the agglomeration phenomenon of the Ni pattern with ultra-fine structure

〇Ichiro Kato¹, Toshiharu Kubo¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:Graphene, EB lithography, Metal agglomeration

本研究では、金属パターン付き基板上で金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリーグラフェンを絶縁基板上に形成した。その際EB露光およびNi蒸着によるサブミクロン間隔のNiパターン作製、およびグラフェン形成を試みた。結果としてサブミクロン幅の結晶性の良いグラフェンを観測できた。I_G/I_Dは2.24であり、前回報告した値よりも小さな値となったが、今後プロセスを改良することで改善できると考えられる。