[21p-P12-1~54] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[21p-P12-28] First Principles Electronic State Calculations for the Diffusion of Oxygen Atoms on Graphene Sheet Surface and Through V₆ Vacancy

〇Takazumi Kawai¹ (1.Tokyo CIty Univ.)

Keywords:Graphene Oxide, Diffusion, First-Principles Electronic State Calculations

酸化グラフェンによる抵抗変化型メモリの動作メカニズムにおいてグラフェン上における酸素原子の拡散は重要なプロセスである．本研究ではグラフェン上の酸素原子のV₆欠陥を通した拡散について第一原理電子状態計算を用いていくつかの可能性のある拡散経路について活性化障壁を計算したところ欠陥のエッジ終端を水素から酸素による代えることによって4eVから0.4eVまで劇的に減少することが分かったので報告する．