[21p-P12-1~54] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[21p-P12-42] Single photon generation from defects in multilayer hBN grown on AlN at RT

〇(DC)Takayuki Ishida¹, Xu Yang^2,5, Ruoxi Wang¹, Taketo Aihara¹, Yoshiki Sakuma², Michio Ikezawa¹, Hiroshi Amano^3,4,5 (1.Tsukuba Univ., 2.NIMS, 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Nagoya Univ. ARC, 5.Nagoya Univ. VBL)

Keywords:single photon emitter, hexagonal boron nitride (hBN), low-dimensional semiconductor

低次元層状材料である六方晶窒化ホウ素(hBN)中の欠陥は室温で高輝度の単一光子発生ができることで注目され，さらに識別不能な光子が生成できる可能性にも期待できる． 現在，様々な方法で得られたhBNについて多くの研究が行われているが，今回，我々はサファイア基板上のAlNの上にMOCVD成長した多層hBNについて，室温における単一光子発生を確認したので報告する．