[21p-P12-1~54] 17 ナノカーボン(ポスター)

[21p-P12-44] KFMによる+c面及び-c面GaN基板上MoS₂の表面電位測定

〇栄 凱蓬¹、荒木 努¹、毛利 真一郎¹ (1.立命館大学理工)

キーワード：半導体、MoS2、二次元材料

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)とMoS₂を接合したヘテロ構造は、広帯域な受光素子への利用が期待され研究されているが、GaNは大きな自発分極を持つ材料としても知られており、その影響がMoS₂の物性にどう表れるかは未知である。そこで、本研究では、KFM(Kelvin Force Probe Microscope)を用いて、MoS₂/GaNの表面電位を計測し、担持するGaN基板の分極方向（面方位）によって、MoS₂の表面電位がどのように変化するかを調べた。