[21p-P12-1~54] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[21p-P12-44] Surface Potential Measurement of MoS₂ on +c-plane and -c-plane GaN substrates by KFM

〇KAIPENG RONG¹, Tsutomu Araki¹, Shinichiro Mouri¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:semiconductor, MoS2, 2D materials

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)とMoS₂を接合したヘテロ構造は、広帯域な受光素子への利用が期待され研究されているが、GaNは大きな自発分極を持つ材料としても知られており、その影響がMoS₂の物性にどう表れるかは未知である。そこで、本研究では、KFM(Kelvin Force Probe Microscope)を用いて、MoS₂/GaNの表面電位を計測し、担持するGaN基板の分極方向（面方位）によって、MoS₂の表面電位がどのように変化するかを調べた。