[21p-P13-1~6] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

[21p-P13-3] Deep learning using PTCDI-Ag₂S based molecular-gap atomic switches

〇(M1)Risa Matsuo¹, Tsuyoshi Hasegawa¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:molecular-gap atomic switches, analog resistance change, deep learning

我々は, 深層学習のシナプス素子への応用を目指して，イオン拡散層にTa2O5-Cu混合膜やTa2O5-Ag混合膜，Ag2S膜を用いた分子膜ギャップ型原子スイッチを作製し，それらのアナログ抵抗変化特性を検証してきた。その結果，Ag2S膜を用いた素子が最も繰り返し耐性に優れ，抵抗変化の線形性も高く，中間値も多く観測された。本研究では，Ag2S膜を用いた素子でネットワークを構成し深層学習実験を行った。