[21p-P13-1~6] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[21p-P13-3] PTCDI-Ag₂S分子膜ギャップ型原子スイッチを用いた深層学習実験

〇(M1)松尾 理沙¹、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工)

キーワード：分子膜ギャップ型原子スイッチ、アナログ抵抗変化制御、深層学習

我々は, 深層学習のシナプス素子への応用を目指して，イオン拡散層にTa2O5-Cu混合膜やTa2O5-Ag混合膜，Ag2S膜を用いた分子膜ギャップ型原子スイッチを作製し，それらのアナログ抵抗変化特性を検証してきた。その結果，Ag2S膜を用いた素子が最も繰り返し耐性に優れ，抵抗変化の線形性も高く，中間値も多く観測された。本研究では，Ag2S膜を用いた素子でネットワークを構成し深層学習実験を行った。