[21p-P15-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-P15-2] スパッタ条件がAl_1-xSc_xNの格子歪や電気特性に及ぼす影響

〇宮地 航平¹、吉村 武¹、萩原 拓永¹、藤村 紀文¹ (1.阪公大院工)

キーワード：AlScN、内部応力、圧電性

近年、AlN中のAl原子を一部Sc原子に置換したAl_1-xSc_xN(AlScN)薄膜は圧電定数の増加[1]や強誘電性の発現によって注目を集めている。これらの特性は、Sc置換による結晶歪の変化に起因していると先行研究において報告されている。我々はこれまでにスパッタ条件がAlScN薄膜の成長におよぼす影響を調べた結果について報告している。本研究では、プラズマの状態によって格子定数を変化させた薄膜の電気的特性を調べた。