[21p-P15-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-P15-5] Sc添加GaＮ薄膜の強誘電性へのSc濃度と温度の影響

〇上原 雅人¹、水谷 涼一²、安岡 慎之介²、清水 荘雄^3,4、山田 浩志¹、秋山 守人¹、舟窪 浩² (1.産総研、2.東工大、3.物材機構、4.さきがけ)

キーワード：強誘電体、窒化ガリウム、薄膜

GaNにScを添加したウルツ鉱型Sc_xGa_1-xN を作製し, その強誘電性を調査した. PUND測定の結果、Sc_xGa_1-xN のP_rはSc濃度が同じSc_xAl_1-xN より高い傾向にあった. これは格子構造に起因すると考えられる. 一方、E_cはSc濃度が同じSc_xAl_1-xNと同等だった。 E_cが母材に関係なくSc濃度で決まることから, Sc周辺が分極反転の起点となることが示唆される.