[21p-P16-1~15] 6.4 Thin films and New materials

[21p-P16-2] Growth of ZnSnN₂ layer by UHV sputter epitaxy method (II)

〇Sotaro Mizuuchi¹, Keisuke Yoshida¹, Shinoda Hiroyuki¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:Sputter, Zinc tin nitride, Ternary nitride

II-IV-V₂族窒化物半導体は，GaNやInNのバンドギャップに近似させることが可能であり，希少金属のGaやInに比べてZnやSn等が豊富に存在するため安価に合成することができる．そのため，太陽電池等に用いられる新たな材料として期待されている．今回，超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてZnSnN₂層の成長を行い，比較的高い基板温度領域にて成長を行い，ガス圧力や投入電力を変化させた際の影響について検討を行った．