[21p-P18-1~40] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[21p-P18-31] 自己組織化単分子膜を利用したZnO抵抗変化型メモリのフォーミング電圧制御

〇中野 正浩¹、中川 采恵¹、松井 裕輝¹、Shahiduzzaman Md.^2,3、辛川 誠^1,2,3、當摩 哲也^1,2,3 (1.金沢大院自、2.金沢大 NanoMaRi、3.金沢大InFiniti)

キーワード：自己組織化単分子膜、酸化亜鉛、抵抗変化型メモリ

酸化亜鉛(ZnO)は、製膜が容易かつ高い電子輸送性、可視光領域での透明性、良好な光・熱安定性を有することから、多くの光電子デバイスや半導体デバイスへ用いられている。ZnOは金属電極で挟み、電圧を印加することで抵抗変化挙動を示すことから、次世代不揮発性メモリの一つである抵抗変化型メモリとしての応用も期待されている。金沢大学電気化学研究室では、電子輸送層としてZnOを用いた有機薄膜太陽電池の性能・耐久性向上に関する研究を行ってきた。デバイス中のZnOの表面に自己組織化単分子膜（SAM）を用いた分子修飾を施すことでデバイスの性能を向上できることを報告している。本発表では、ZnOを基盤とした抵抗変化型メモリ素子において、SAMを用いた表面修飾がデバイス特性に与える影響を調査した結果について報告する。