[22a-A102-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[22a-A102-4] 共ドープSiナノトランジスタの単一電子トンネリングに対するバックゲート電圧の効果の研究

〇金子 義¹、ジュパリ タルナ　テジャ¹、モラル ダニエル¹ (1.静大電研)

キーワード：ドーパント、単一電子トランジスタ、量子ドット