10:00 〜 10:15
△ [22a-A105-5] Indium Tin Oxide薄膜をチャネルとする溶液ゲート電界効果トランジスタの作製方法と電気特性評価
キーワード:バイオセンサ、半導体、酸化インジウムスズ
本研究では、ソース/チャネル/ドレイン間に界面を持たず、かつ微細化が簡便な溶液ゲート薄膜ITOチャネルFETの作製方法を考案した。厚さ100 nm程度の導電性ITO薄膜をガラス基板上に成膜し、フォトリソグラフィーを用いてチャネル部分となるITOのみを酸でエッチング処理して半導体特性を示す20 nm程度の厚さとすることで、目的の溶液ゲート薄膜ITOチャネルFETの作製が可能となった。