[22a-A301-1~9] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [22a-A301-3] Observation of Fermi-edge singularity in degenerated Ga-doped ZnO nano-films

〇Aika Tashiro¹, Yutaka Adachi², Takashi Uchino¹ (1.Kobe Univ., 2.NIMS)

Keywords:degenerated semiconductor, zinc oxide, photoluminescence

Mott密度以上のキャリア濃度を有する半導体では，フェルミエッジ付近の異常吸収とそれに伴うMahan励起子生成の存在が提唱されている。本研究では，Mott密度以上のn型ドープZnO:Gaナノ薄膜について光学測定を行った。光吸収測定より，200 K以下の温度域で3.38 eV付近に異常吸収が現れることを確認した。さらに，発光励起スペクトルにおいても，低温域で同様の異常吸収を観測した。これはフェルミエッジ付近におけるMahan励起子の生成を示唆する。