[22a-A307-1~7] 13.9 化合物太陽電池

[22a-A307-3] 転位すべり面に偏りのあるInGaAs太陽電池の非発光再結合マッピング評価

〇原田 尚吾¹、森田 浩右¹、大山 博暉¹、原田 知季^1,2、大窪 純矢¹、鈴木 秀俊¹、小倉 暁雄³、今泉 充³、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大、2.学振特別研究員 DC、3.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：非発光再結合、転位、太陽電池

一つの微傾斜GaAs基板上にInGaPバッファ層を挿入して作製された複数のInGaAs太陽電池セルのうち、開放端電圧の低いセルに対して、非発光再結合中心の分布を観測できる光ヘテロダイン光熱変位法によるマッピング測定を行った。観測された結果は、これまでに行ったX線回折法を用いた逆格子マッピング測定で得られた転位すべり面の分布と対応しており、解析によって転位すべり面の電気特性への影響を評価できる可能性が示された。