[22a-A404-1~2] 7.4 量子ビーム界面構造計測

[22a-A404-1] III-V族化合物半導体InSb極薄膜における価電子帯の低次元化

〇武田 崇仁¹、高瀬 健吾¹、Strocov V. N.²、田中 雅明^1,3、小林 正起^1,3 (1.東大工、2.Swiss Light Source、3.東大スピンセンター)

キーワード：角度分解光電子分光、量子井戸、半導体

本研究では、量子閉じ込めによる次元性低下がバンド構造へ与える影響を明らかにするために、SX-ARPESを用いてInSb極薄膜と厚膜の価電子帯バンド構造を調べた。極薄膜InSbではk_[001]方向の分散がない2次元的なバンド分散であり、厚膜と極薄膜ではブリルアンゾーンの対称性も異なっていた。この結果は、極薄膜InSbでは量子閉じ込めにより電子状態の次元性が低下したことを示唆する。