[22a-A404-3~8] CS.8 6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェア

[22a-A404-3] 電界電子放出機構によるドライエッチング装置用電子放出源の開発

〇下位 法弘¹、寺嶋 亮²、檜森 慎司² (1.東北工大工、2.東京ｴﾚｸﾄﾛﾝ宮城㈱)

キーワード：電界電子放出、カーボンナノチューブ、エッチングガス

本発表では、SF₆ 雰囲気中でFE電子線を照射した際にSF₆に由来すると推測されるフッ化物イオンが検出され、さらにSi基板表面には複数種のフッ化物およびフッ素イオンの付着が確認された。従来の反応性イオンエッチングプロセスより、低電力でエッチングできるプロセスシステム構築の方向性を見出し、かつプラズマより低いエネルギー反応場でエッチングガスを活性化する基礎技術を見出すことに成功した。