[22a-B102-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[22a-B102-4] InP基板上MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードの理論解析と特性向上に向けた検討

〇馬場 一浩¹、野村 一郎¹ (1.上智大理工)

キーワード：共鳴トンネルダイオード、Ⅱ-Ⅵ族半導体

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体によるヘテロ接合では、MgSe/ZnCdSe接合の伝導帯バンド不連続を約1.2eV有していることがわかっている。我々はこの特長を利用してMgSe二重障壁層をZnCdSe層で挟んだ共鳴トンネルダイオード（RTD）を作製し、室温での微分負性抵抗を確認した。本研究では、RTDの電流電圧（J-V）特性の理論解析を行い、更なる高性能化に向けて素子構造やn層キャリア濃度依存性について検討したので報告する。