[22a-B104-1~9] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[22a-B104-6] Synthesis of Near-Infrared Emitting Perovskite Quantum Dots FAPbI₃ under Iodine-Rich Conditions for High Performance

〇Mizuho Uwano¹, Hinako Ebe², Shunsuke Sumikoshi¹, Takayuki Chiba^1,3,4, Junji Kido^1,3,4 (1.G. S. Of. Org. Mat. Sci., Y. U., 2.Fac. Of. Sci., Y. U., 3.REOL, 4.FROM)

Keywords:lead halide perovskite, near infrared emittion, light emitting diode

近赤外領域の発光波長を有する発光デバイス (LED) は、幅広い用途への応用が期待されている。その中でも、ペロブスカイト化合物 FAPbI₃ (FA=CH (NH₂)₂⁺) は、優れた電荷輸送性・光応答性を示すことから、次世代の近赤外 LED 材料として注目されている。しかしながら、FAPbI₃ は相転移や欠陥形成からなる発光量子収率・素子効率低下が課題である。そこで本研究では、ナノ結晶化による相安定性の改善による近赤外ペロブスカイト量子ドット開発と LED への応用を試みた。