[22a-B104-1~9] 12.4 有機EL・トランジスタ

[22a-B104-6] 近赤外発光を示すペロブスカイト量子ドット FAPbI3 の開発と LED 応用

〇上野 瑞穂¹、江部 日南子²、隅越 俊介¹、千葉 貴之^1,3,4、城戸 淳二^1,3,4 (1.山形大院有機、2.山形大院理工学、3.山形大有機エレ研セ、4.山形大有機材料セ)

キーワード：ハロゲン化鉛ペロブスカイト、近赤外発光、発光ダイオード

近赤外領域の発光波長を有する発光デバイス (LED) は、幅広い用途への応用が期待されている。その中でも、ペロブスカイト化合物 FAPbI₃ (FA=CH (NH₂)₂⁺) は、優れた電荷輸送性・光応答性を示すことから、次世代の近赤外 LED 材料として注目されている。しかしながら、FAPbI₃ は相転移や欠陥形成からなる発光量子収率・素子効率低下が課題である。そこで本研究では、ナノ結晶化による相安定性の改善による近赤外ペロブスカイト量子ドット開発と LED への応用を試みた。