[22a-B201-1~11] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[22a-B201-3] 電界効果によるPt/CFOの強磁性に由来したAHEヒステリシスの変調

〇榊原 烈桜¹、片山 裕美子¹、小山 知弘^2,3、千葉 大地^2,3、上野 和紀¹ (1.東大総合院、2.阪大産研、3.阪大CSRN)

キーワード：磁気近接効果、異常ホール効果

Ptはストーナー理論の観点から強磁性に近い物質であることが示唆されている。実際にCoFe₂O₄(CFO)薄膜上のPt薄膜(2.5 nm)で磁気近接効果により生じた異常ホール効果(AHE)の飽和値を電界効果によって制御した例が報告されている。しかしこの報告では保磁力は変わらず、長距離秩序の制御は実現できていない。今回我々はCFO上のPt薄膜(5.9 nm)に対して電圧を印加しそのヒステリシスを制御したので報告する。