[22a-B202-1~11] 17.3 Layered materials

[22a-B202-1] Development of advanced molecular doping method for MoS₂

〇Keigo Matsuyama¹, Norifumi Fujimura¹, Daisuke Kiriya² (1.Osaka Met. Univ., 2.The Univ. of Tokyo)

Keywords:transition metal dichalcogenides, molybdenum disulfide

原子層半導体である遷移金属カルコゲナイド(TMDC)における高キャリア濃度の達成は、超伝導相をはじめとする量子相への転移を誘起しうると期待されている。TMDCへのドーピング法の一つとして、TMDC/分子間での表面電荷移動を利用したドーピング手法が知られている。このドーピング能は、分子の溶媒和を含めた相互作用に基づくと想定されるものの、溶媒に着目した検討例はごく僅かである。本研究では、TMDCの一つであるMoS₂に対して、強ドナー性有機分子を様々な溶媒条件で処理し、電子状態の測定、およびデバイス測定を実施した。