[22a-B202-1~11] 17.3 Layered materials

[22a-B202-11] Improvement of p-type thin film MoS₂ TFT by Annealing Treatment

〇daiti arai¹, shimizu kousaku¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:Molybdenum sulfide, Thin film Transistor, sputtering

本来単結晶の硫化モリブデンはn型半導体であるが、スパ硫化モリブデン薄膜は単結晶ではn型半導体であるが、スパッタリング法で作製したMoS₂はp型半導体の特性を示すことが知られている。先行研究より200℃アニールで最大の移動度を示した。今回p型になった原因をラマン分光を用いて結晶の変化を調べた。